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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

晶體管和場效應管以及開關管，mos管的區別。電力晶體管GTR是目前各種全控型器件中運用比較廣泛的一種。它一般都是做成達林頓復合管的形勢出現。它是電流型驅動，工作頻率不高，一般在1~2KHz（但GTR雖然工作在最大耗散功率范圍內，仍可能損壞，存在著二次擊穿）
     電力場效應晶體管管MOSFET，目前能生產出的電壓在1200V 電流在300A。它有點在于輸入阻抗高，屬電壓型控制器件，可以直接與數字邏輯電路連接，且驅動電路簡單，功耗小。 開關速度快，約是GTR的10倍，而且開關功耗小。熱穩定性好，不存在二次擊穿（缺點在電壓還不能太高，電流容量還不能太大，只能在小功率的電力電子變流當中運用）

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